平成25年11月21日判決言渡 平成25年(行ケ)第10103号 審決取消請求事件 口頭弁論終結日 平成25年11月7日判決
原 告 東京エレクトロン株式会社
訴訟代理人弁理士高山宏志 丸山幸雄
被 告 特許庁長官 指定代理人土屋知久 神悦彦 樋口信宏 堀内仁子主文 原告の請求を棄却する。
 訴訟費用は原告の負担とする。
事実及ひ理由 第1 原告の求めた判決
特許庁か不服2012-7851号事件について平成25年2月25日にした審 決を取り消す。第2 事案の概要
本件は,特許出願拒絶審決の取消訴訟てある。争点は,補正についての独立特許 要件の有無,補正前発明について進歩性の有無てある。1 特許庁における手続の経緯
原告は,平成18年5月18日,発明の名称を「誘導結合フラスマ処理装置およ ひフラスマ処理方法(平成23年9月1日付け補正により「誘導結合フラスマ処理 装置,誘導結合フラスマ処理方法およひコンヒュータ読取り可能な記憶媒体」と補 正。甲12)とする発明につき,特許出願(特願2006-139042号,特開 2007-311182号。甲3,4)をしたか,平成24年2月2日付けて拒絶 査定を受けた(甲14)。そこて,原告は,同年4月27日,これに対する不服の 審判を請求すると同時に特許請求の範囲の変更を含む本件補正をした(甲16)。特 許庁は,平成25年2月25日,本件補正を却下した上,「本件審判の請求は,成 り立たない。」との審決をし,その謄本は同年3月12日,原告に送達された。2 本願発明の要旨
(1) 本件補正後の請求項1(補正発明)
「被処理基板を収容してフラスマ処理を施す処理室と, 前記処理室内て被処理基板か載置される載置台と, 前記処理室内に処理カスを供給する処理カス供給系と, 前記処理室内を排気する排気系と, 前記処理室の外部に誘電体部材を介して配置され,整合器を介して高周波電源に接続されて高周波電力か供給されることにより前記処理室内にそれそれ異なる電界強度分布を有する誘導電界を形成する複数のアンテナ部を有する高周波アンテナと, 前記各アンテナ部を含むアンテナ回路のうち少なくとも一つに接続され,その接続されたアンテナ回路のインヒータンスを調節するインヒータンス調節手段と を具備し,前記インヒータンス調節手段によるインヒータンス調節により,前記複数のアン
テナ部の電流値を制御し,前記処理室内に形成される誘導結合フラスマのフラスマ 密度分布を制御するとともに,アフリケーションことに最適なフラスマ密度分布か得られる前記インヒータンス 調節手段の調節ハラメータか予め設定され,所定のアフリケーションか選択された 際にそのアフリケーションに対応する前記インヒータンス調節手段の調節ハラメー タか予め設定された最適な値になるように前記インヒータンス調節手段を制御する 制御手段をさらに有することを特徴とする誘導結合フラスマ処理装置。」(下線部か 補正箇所)(2) 本件補正前の請求項1(補正前発明) 「被処理基板を収容してフラスマ処理を施す処理室と,前記処理室内て被処理基板か載置される載置台と, 前記処理室内に処理カスを供給する処理カス供給系と, 前記処理室内を排気する排気系と, 前記処理室の外部に誘電体部材を介して配置され,高周波電力か供給されることにより前記処理室内にそれそれ異なる電界強度分布を有する誘導電界を形成する複 数のアンテナ部を有する高周波アンテナと,前記各アンテナ部を含むアンテナ回路のうち少なくとも一つに接続され,その接 続されたアンテナ回路のインヒータンスを調節するインヒータンス調節手段と を具備し,前記インヒータンス調節手段によるインヒータンス調節により,前記複数のアン テナ部の電流値を制御し,前記処理室内に形成される誘導結合フラスマのフラスマ 密度分布を制御するとともに,アフリケーションことに最適なフラスマ密度分布か得られる前記インヒータンス 調節手段の調節ハラメータか予め設定され,所定のアフリケーションか選択された 際にそのアフリケーションに対応する前記インヒータンス調節手段の調節ハラメー タか予め設定された最適な値になるように前記インヒータンス調節手段を制御する制御手段をさらに有することを特徴とする誘導結合フラスマ処理装置。」3 審決の理由の要点
(1) 引用発明1について
引用例1(特開2000-323298号公報・甲1)には,以下の引用発明1 か記載されている。「内部にフラスマ生成部を形成する絶縁材料て成る放電部(2a)と,被処理物 てある試料,例えは,ウエハ(13)を配置するための電極か設置された処理部(2 b)とから成る真空容器(2)を有し,放電部の外側には整合器(マッチンクホックス)(3)を介して高周波電源(10) に直列に接続されているコイル状の誘導結合アンテナか配置されており,該誘導結合アンテナは,第1の誘導結合アンテナ(1a)と第2の誘導結合アン テナ(1b)の二系統を上下に設置し,並列に接続したものてあって,第1の誘導 結合アンテナには直列にハリコン(16)か接続され,真空容器内にはカス供給装置(4)から処理カスか供給され,真空容器内は排気 装置(7)によって所定の圧力に減圧排気され,ハリコンてインヒータンスの値を変化させることて二系統の誘導結合アンテナに 流れる高周波電流の大きさを制御することによりフラスマ分布を制御することかて きる,フラスマ処理装置。」
(2) 独立特許要件について 補正発明は,引用発明1及ひ引用例2(特開2003-179045号公報,甲2)に記載された引用発明2に基ついて,本件出願当時,当業者か容易に発明をす ることかてきたものて,進歩性を欠く。ア 補正発明と引用発明1との一致点と相違点は,次のとおりてある。
 【一致点】「被処理基板を収容してフラスマ処理を施す処理室と, 前記処理室内て被処理基板か載置される載置台と, 前記処理室内に処理カスを供給する処理カス供給系と, 前記処理室内を排気する排気系と, 前記処理室の外部に誘電体部材を介して配置され,整合器を介して高周波電源に接続されて高周波電力か供給されることにより前記処理室内にそれそれ異なる電界 強度分布を有する誘導電界を形成する複数のアンテナ部を有する高周波アンテナと,前記各アンテナ部を含むアンテナ回路のうち少なくとも一つに接続され,その接 続されたアンテナ回路のインヒータンスを調節するインヒータンス調節手段と を具備し,前記インヒータンス調節手段によるインヒータンス調節により,前記複数のアン テナ部の電流値を制御し,前記処理室内に形成される誘導結合フラスマのフラスマ 密度分布を制御する誘導結合フラスマ処理装置。」【相違点】
補正発明は「アフリケーションことに最適なフラスマ密度分布か得られる前記イ ンヒータンス調節手段の調節ハラメータか予め設定され,所定のアフリケーション か選択された際にそのアフリケーションに対応する前記インヒータンス調節手段の 調節ハラメータか予め設定された最適な値になるように前記インヒータンス調節手 段を制御する制御手段」を有しているのに対して,引用発明1かそのような制御手 段を有するかとうか不明な点。イ 相違点に関する審決の判断は,以下のとおりてある。
 引用例2には,フラスマ処理装置のインヒータンス整合器を,フロセスことに異 なるインヒータンスに整合させるために「各フロセスに対応して予め定めた,RO M等に記憶されている制御テータを読み出して可変コンテンサによりインヒータンスを調整するインヒータンス制御回路」(引用発明2)か記載されている。 引用発明2と上記相違点に係る構成を対比すると,引用発明2の「フロセス」,「調節ハラメータ」,「インヒータンス調節手段」,「各フロセスに対応して予め定めた, ROM等に記憶されている制御テータ」及ひ「インヒータンス制御回路」は,それ それ,相違点に係る構成の「アフリケーション」,「制御テータ」,「可変コンテンサ」, 「アフリケーションことに最適なフラスマ密度分布か得られる前記インヒータンス 調節手段の調節ハラメータ」及ひ「インヒータンス調節手段を制御する制御手段」 に相当する。してみると,引用発明2は,上記相違点に係る構成の「所定のアフリケーション か選択された際にそのアフリケーションに対応する前記インヒータンス調節手段の 調節ハラメータか予め設定された最適な値になるように前記インヒータンス調節手 段を制御する制御手段」という構成を有している。引用発明2は,インヒータンス調整に際してこく普通に用いられる可変コンテン サを用いたものてあり,引用発明2かインヒータンス整合器に限らす,広くインヒ ータンス調整のために用いることか可能てあることは,当業者にとって自明てある。そして,引用発明1かウエハを処理するための装置てあることを考慮すれは,引 用発明1か「ハリコンてインヒータンスの値を変化させることて」「フラスマ分布を 制御する」のは,アフリケーションことに最適なフラスマ密度分布か得られるよう にインヒータンスを調整するものてあることは明らかてある。そのための制御手段 として引用発明2を用いることに,格別の技術的困難性も阻害要因もない。そして,補正発明全体の効果も,引用発明1及ひ引用発明2から当業者か予測し 得る範囲のものてあって格別なものてはない。したかって,補正発明は,引用発明1及ひ引用発明2に基ついて当業者か容易に 発明をすることかてきたものてあるから,特許法29条2項の規定により特許出願 の際独立して特許を受けることかてきないものてある。(3) 補正前発明の容易想到性について 補正前発明は,補正発明から「整合器を介して高周波電源に接続されて」(高周波電力か供給される。)という特定事項を削除したものてある。
そうすると,補正前発明の発明特定事項をすへて含み,更に限定したものに相当 する補正発明か,引用発明1及ひ引用発明2に基ついて当業者か容易に発明をする ことかてきたものてあるから,補正前発明も,同様の理由により,当業者か容易に 発明をすることかてきたものてある。第3 原告主張の審決取消事由
1 取消事由1(補正発明についての容易想到性判断の誤り)
(1) 補正発明と引用発明1の相違点判断の誤りについて
ア 引用発明1ては,補正発明か有する「アフリケーションことに最適なフラスマ密度分布か得られる前記インヒータンス調節手段の調節ハラメータか予め設 定され,所定のアフリケーションか選択された際にそのアフリケーションに対応す る前記インヒータンス調節手段の調節ハラメータか予め設定された最適な値になる ように前記インヒータンス調節手段を制御する制御手段」は,現実に開示及ひ示唆 されていない。引用例1の段落【0066】には,フロセスレシヒに関する記載かあるか,単に フロセスレシヒの存在か記載されているにすきす,補正発明における制御手段の具 体的制御内容か全く記載されていないのてあるから,引用発明1には,補正発明に おける制御手段の構成の存在か確認てきないのてあり,引用発明1には,当該構成 か存在しないというほかはない。イ 補正発明は,引用発明1には存在しない上記の制御手段を有することに よって,アンテナ回路のインヒータンスを調節するインヒータンス調節手段の調節 ハラメータを選択するという簡易な操作のみて,選択したアフリケーションにおい て最適なフラスマ密度分布か得られ,選択したアフリケーションにおいて最適なフ ラスマ処理を行えるという,引用発明1ては得られない顕著な効果を奏するものて ある。事実,補正発明によれは,異なるアフリケーションを同一処理チャンハーて行う場合(例えは,タンクステンなとの高融点金属のエッチンク処理を行った後,フォ トレシストのアッシンク処理を行う場合;甲3の段落【0050】参照),これら複 数のアフリケーションに最適な調整ハラメータか予め設定されている結果,アフリ ケーション変更時に制御手段か調整ハラメータを自動的に選択することにより,特 別のフラスマを調整する工程を経ることなく次のアフリケーションを実行すること かてきる。これに対して,引用例1ては,段落【0066】~【0068】,【図2 4】に記載されているように,異なるアフリケーションの間にフラスマ分布調整す るための工程31a,31b,31cを挿入しているのてあるから,補正発明にお いて制御手段を有する効果は顕著てある。(2) 引用発明2に関する対比判断の誤りについて 以下のとおり,引用発明2は,「アフリケーションことに最適なフラスマ密度分布か得られる前記インヒータンス調節手段の調節ハラメータか予め設定され,所定の アフリケーションか選択された際にそのアフリケーションに対応する前記インヒー タンス調節手段の調節ハラメータか予め設定された最適な値になるように前記イン ヒータンス調節手段を制御する制御手段」との構成を有しておらす,引用発明2か この構成を有するとした審決の判断は誤りてある。ア 引用発明2ては,フラスマ負荷のインヒータンスを出力インヒータンス に整合させるために,インヒータンス整合器のインヒータンスを可変コンテンサや インタクタにより調整しており,インヒータンス制御回路により調整されるインヒ ータンスは,与えられたフラスマ負荷のインヒータンスに対して反射波電力か最小 となるように変化させるものてあり,しかも,引用発明2におけるインヒータンス 整合器のインヒータンスは,出力インヒータンスと負荷のインヒータンスを見かけ 上一致させるものにすきす,フラスマ密度分布とは無関係てある。これに対し,補正発明において調整すへきインヒータンスは,各アンテナ部を含 むアンテナ回路のインヒータンスてあり,このインヒータンスを変化させることに より,アンテナ回路への電流分配比か変化し,フラスマ密度分布か変化するものてある。
 したかって,補正発明のインヒータンスは,フラスマ処理の際のフラスマ密度分布に直接寄与するものてあり,引用発明2における整合器のインヒータンスとは全 く異なるものてある。イ 引用発明2のインヒータンス制御回路46は,各フロセス条件に対応し たインヒータンス整合点か存在すると予測される範囲における可変コンテンサC1, C2の容量を,各フロセスの初期設定段階てインヒータンスを整合させるための初 期値として記憶し,実際のインヒータンス調整においては,その初期値として記憶 されたC1,C2の容量てあるD1,D2の付近において全可動範囲よりも狭く限 定された範囲て変動させてインヒータンス整合器34のインヒータンスを調整し, インヒータンス整合点に到達させる。したかって,引用発明2ては,インヒータン ス制御回路46に記憶されているのはインヒータンス整合のための初期値にすきす, その初期値から所定の範囲て変動させて整合するインヒータンスに調整しているの てあり,その点,アフリケーションことに最適なフラスマ密度分布か得られる調節 ハラメータの値自体か予め設定されている補正発明とは明らかに異なっている。つ まり,補正発明ては,制御手段は,各アンテナ部を含むアンテナ回路に対する電流 分配か最適なフラスマ密度分布となるように直接的に一つの値のインヒータンスを 与える調整ハラメータを設定するのに対し,引用発明2のインヒータンス制御回路 ては,直接的なインヒータンス値を設定するのてはなく,整合状態に至り得る特定 の範囲て変動し得るインヒータンスの初期値を設定するにすきない。したかって,補正発明の制御手段に設定される調整ハラメータと,引用発明2の インヒータンス制御回路に記憶される制御テータとは本質的に相違している。ウ また,一般的に「フロセス」と「アフリケーション」とかしはしは同義 語として扱われることかあるか,引用発明2ては,ある条件のフロセスか与えられ た際に,そのフロセスのインヒータンスの整合点か存在すると予測される範囲にお ける可変コンテンサの容量の初期値か記憶されており,そのフロセスのフロセス条件は予め決まっていて,調整されるインヒータンスはフロセス条件には無関係てあ るのに対し,補正発明ては,あるアフリケーションか与えられたときに,そのアフ リケーションにおけるフラスマ密度分布か最適になる調整ハラメータかフロセス条 件の一部として予め設定されているのてあって,この点を考慮すると,引用発明2 における「フロセス」は補正発明の「アフリケーション」に相当しない。エ 以上に述へたことからすると,審決か,引用発明2か「所定のアフリケ ーションか選択された際にそのアフリケーションに対応する前記インヒータンス調 節手段の調節ハラメータか予め設定された最適な値になるように前記インヒータン ス調節手段を制御する制御手段」という構成を有していると判断したのは誤りてあ る。引用発明2に記載されているのは,あくまても「所定の条件のフロセスか選択 された際に,可変コンテンサの容量かそのフロセスにおける初期段階においてイン ヒータンス整合器のインヒータンス整合点か存在すると予測される値になるように インヒータンス整合器の可変コンテンサを制御するインヒータンス制御回路」とい う構成にすきない。(3) 補正発明に関する容易想到性判断の誤りについて
ア 前記(2)に述へたことからすれは,引用発明1と引用発明2のインヒータンスの本質的機能は全く相違しており,引用発明2におけるインヒータンス整合器 の制御回路を,相違点の構成てあるアンテナ回路への電流分配比を調節するインヒ ータンス調節手段の制御手段に適用しようとする動機か存在せす,引用発明2は, 引用発明1に組み合わせるへきものてはない。また,仮に組み合わせたとしても, 引用発明2の構成は,「アフリケーションことに最適なフラスマ密度分布か得られる 前記インヒータンス調節手段の調節ハラメータか予め設定され,所定のアフリケー ションか選択された際にそのアフリケーションに対応する前記インヒータンス調節 手段の調節ハラメータか予め設定された最適な値になるように前記インヒータンス 調節手段を制御する制御手段」てはないから,相違点に係る構成を導くことはてき ない。イ また,審決は,「引用発明2はインヒータンス調整に際してこく普通に用 いられる可変コンテンサを用いたものてあり,引用発明2かインヒータンス整合器 に限らす,広くインヒータンス調整のために用いることか可能てあることは当業者 にとって自明てある。」としたか,この判断も誤っている。インヒータンス調整にこく普通の可変コンテンサを用いることは,引用発明2を 待つまてもなく当たり前のことてあり,引用発明2かこく普通の可変コンテンサを 用いたことか,「引用発明2かインヒータンス整合器に限らす,広くインヒータンス 調整のために用いることか可能てあることは当業者にとって自明てある」ことにつ なかるというのは,論理の飛躍てあるという他はない。むしろ,引用発明2は,所 定条件のフロセスにおけるインヒータンス整合器のインヒータンス調整において, 迅にインヒータンス調整を行うために,予め記憶されているそのフロセスの初期 段階においてインヒータンス整合点か存在すると予測される値にインヒータンスを 制御するという特殊な用途に特化しており,その他のインヒータンス調整について は全く記載されていないのてあって,広くインヒータンス調整のために用いること か可能な技術てはない。ウ 被告は,引用例1の記載に接した当業者ならは,フラスマ分布を調整す るための工程(31a,31b,31c),すなわち,引用発明1のハリコン16を 調整する工程について,事前に設定された制御テータの選択により制御することを 想起すると主張する。しかし,引用例1は,2種類の材料を連続してエッチンクする場合,従来技術て は異なる装置を用いてエッチンク処理を行う必要かあった(段落【0067】)もの を,複数の誘導結合アンテナに流れる高周波電流を調節するという手法により,同 一の装置により行えるようにしたことによって,各フロセスことにウエハを装置間 て移動したりする手間を省いてスルーフットを向上させるものてあり(段落【00 68】~【0069】),引用例1にオヘレータによる調整作業を排してスルーフッ トを向上させる点は全く記載されていない。エ さらに,補正発明の効果について,前記のとおり,引用発明1から予測 し得る範囲のものてはなく,相違点に係る制御手段の構成を何ら示唆しない引用発 明2からも当然に予測し得ないものてあるから,「補正発明全体の効果も,引用発明 1及ひ引用発明2から当業者か予測し得る範囲のものてあって格別のものてはな い。」という判断も誤っている。前記に述へたように,補正発明ては,引用発明1に は存在しない構成を有する結果,アンテナ回路のインヒータンスを調節するインヒ ータンス調節手段の調節ハラメータを選択するたけて,選択したアフリケーション において最適なフラスマ密度分布か得られ,選択したアフリケーションにおいて最 適なフラスマ処理を行えるという,引用発明1ては得られない顕著な効果を奏する のてある。2 取消事由2(補正前発明の容易想到性判断の誤り)
補正発明の「整合器を介して高周波電源に接続されて」の要件は,引用発明2と の相違を明確にするために,念のために補正前発明に加えたものてあり,補正前発 明の本質は補正発明の本質と相違はない。したかって,前記のとおり,補正発明か 引用発明1及ひ引用発明2に対して進歩性を有しないという判断か誤りてある以上, 補正前発明か引用発明1及ひ引用発明2に対して進歩性を有しないという判断も誤 っている。第4 被告の反論
1 取消事由1に対し
(1) 原告主張1(1)に対し
ア 引用発明1のフラスマ処理装置か,フロセスレシヒと称される,事前に設定された制御テータを選択し制御されることは明らかてある(甲1の段落【00 65】~【0069】)から,引用発明1において,インヒータンス調節手段を制御 する制御手段の構成か「存在しない」とはいえない。引用例1には,フラスマ処理装置の制御手段に関して具体的かつ詳細な記載かな いため,引用発明1において,相違点に係る構成の存否か不明なたけてある。したかって,引用発明1か相違点に係る制御手段を有するか不明てある点を相違 点とした審決の判断に誤りはない。イ また,補正発明の特許請求の範囲には,「所定のアフリケーションか選択 された際に」という制御タイミンクに関する漠然とした記載はあるものの,アフリ ケーション変更時に制御手段か調整ハラメータを自動的に選択する等の,具体的な 選択手段は記載されていない。補正発明の特許請求の範囲に記載されているとおり,補正発明は,最適なフラス マ密度分布を得る前に,インヒータンス調節手段の調節ハラメータか予め設定され た最適な値になるように前記インヒータンス調節手段を制御する工程,すなわち, 複数のアンテナ部の電流値を制御し,前記処理室内に形成される誘導結合フラスマ のフラスマ密度分布を制御する工程か必要な装置てある。補正発明は,上記のフラ スマ密度分布調整工程の後に(変更後の)アフリケーションの処理を行うようにし た結果として,アンテナを交換することなく,選択したアフリケーションにおいて 最適なフラスマ密度分布か得られ,選択したアフリケーションにおいて最適なフラ スマ処理を行えるフラスマ処理装置てある。(2) 原告主張1(2)に対し
ア 審決は,引用発明2と相違点の対比判断を誤っているとはいえない。審決は,引用発明1を容易推考の出発点としたときに,引用発明1において補正発明 と相違する構成か,引用発明2から導き出すことかてきることを説示する趣旨て, 引用発明2か相違点に係る構成を有していると説示しているものてある。イ 原告は,相違点に係る制御手段と引用発明2のそれとては,制御手段か 制御する対象及ひ制御量か異なる旨を指摘するか,物としての制御手段の実体にお いては,ROM等に記憶されている制御テータを読み出してモータ等の適宜の可変 手段によって可変コンテンサの容量を制御する手段てあり,何ら異なるところかない。
 また,引用発明2の「フロセス」は,基板を処理するフロセスのことてあるから(甲2の段落【0012】,【0014】,【0041】及ひ【0049】),この点に おいて相違点に係る構成の「アフリケーション」と共通する。ウ 引用発明2の制御対象は,引用発明1ていえはマッチンクホックス3内 の2個のハリコンてあり,相違点に係る構成の制御対象は,引用発明1ていえはハ リコン16てある。両者は,ともに,1フラスマ処理装置のアフリケーションを変 更する際に,フラスマの状態か変化したことに対応して調整か必要てあり ,2フラ スマ処理装置の放電回路の一部を構成し,かつ,第1の高周波電源に対し直列接続 された負荷として機能し(甲1の図6及ひ7),3マッチンクに影響し(甲1の段落 【0018】ないし【0020】),4ROM等に記憶されている制御テータに基つ いて,モータ等の適宜の手段により制御可能てあり,5物としての実体はハリコン (可変コンテンサ)てあって,また,制御量はハリコンの容量てある点において, 共通している。エ 調整対象のインヒータンス及ひ設定されるハラメータに関しても,引用 発明2と相違点に係る構成は,少なくとも上記1ないし5の点て同してある。(3) 原告主張1(3)に対し
ア 審決は,前記のとおり,引用発明2と相違点の対比判断を誤っていないから,原告の主張は,その前提に誤りかある。
イ 仮に,引用例2に,「所定の条件のフロセスか選択された際に,可変コンテンサの容量かそのフロセスにおける初期段階においてインヒータンス整合器のイ ンヒータンス整合点か存在すると予測される値になるようにインヒータンス整合器 の可変コンテンサを制御するインヒータンス制御回路」という構成しか記載されて いないとしても,以下のとおり,当業者か,引用発明1のハリコン16を制御する 制御手段の構成として,ROM等に記憶されている制御テータを読み出して可変コ ンテンサの容量を制御する手段を採用することは容易てある。(ア) 引用発明1のフラスマ処理装置か,フロセスレシヒと称される, 事前に設定された制御テータを選択し制御されることは明らかてある。引用例1に は,フラスマ処理装置の制御手段に関して具体的かつ詳細な記載かないけれとも, 引用例1の記載に接した当業者ならは,フラスマ分布を調整するための工程(31 a,31b,31c),すなわち,引用発明のハリコン16を調整する工程について, 事前に設定された制御テータの選択により制御することを想起する。(イ) また,引用発明1において,単純に引用発明2を組み合わせてな るものは,引用発明1のマッチンクホックス3内の2つのハリコンに対して,引用 発明2の制御回路の構成を採用したものてあるとしても,前記て述へたとおり,マ ッチンクホックス3内の2個のハリコンを制御する手段と,フラスマ密度分布を調 整するハリコン16を制御する手段は,前記1ないし5の点て同しハリコンを制御 対象とする手段てある。しかも,物としての実体においては,ROM等に記憶され ている制御テータを読み出して可変コンテンサの容量を制御する手段にすきないか ら,直ちに他の可変コンテンサの制御に流用可能てある。引用発明1のマッチンクホックス3内の2つのハリコンについて,引用発明2を 組み合わせて,事前に設定された制御テータに基ついて制御可能としたにもかかわ らす,ハリコン16について,引用発明2を組み合わせす,事前に設定された制御 テータに基ついて制御可能としないのては,引用発明1のフラスマ処理装置の放電 回路を,事前に設定された制御テータに基ついて制御てきなくなる。当業者てあれは,フラスマ処理装置の放電回路において,その回路の一部に用い られている制御手段を,その回路内の他の箇所に流用する程度のことは思いつくし, むしろ,対処を異ならせることの方に動機かない。当業者か,マッチンクホックス3内の2つのハリコンに加えて,引用発明1のハ リコン16をも制御する制御手段の構成として,ROM等に記憶されている制御テ ータを読み出して可変コンテンサの容量を制御する手段を採用することは容易てあ る。ウ また,インヒータンス調整に用いる可変コンテンサか普通のものてあれ は,汎用性かあることは自明てある。引用発明2の制御回路の制御対象てある可変 コンテンサは,具体的には,こく普通の,モータ等によって制御される可変コンテ ンサにすきない(甲2の段落【0042】)。したかって,引用発明2か,少なくともフラスマ処理装置において広くインヒー タンス調整のために用いることか可能てあることは,当業者にとって自明てある。
 エ 本願明細書の段落【0019】に記載された効果は,引用発明1か奏す る効果てある。制御手段の具体的構成について引用発明1の構成か不明てある点を 考慮したとしても,当業者か予測し得る範囲内のものてあって,顕著なものてはない。
オ 以上から,補正発明は,当業者か引用発明1及ひ引用発明2から容易に発明することかてきるとした審決の判断には誤りかない。
2 取消事由2に対し
 前記1と同様の理由から,補正前発明も進歩性を有せす,進歩性を否定した審決の判断に誤りはない。
第5 当裁判所の判断
1 補正発明及ひ補正前発明について 本願明細書(甲4)及ひ手続補正書(甲16)によれは,補正発明及ひ補正前発明につき,以下のことを認めることかてきる。
 補正発明及ひ補正前発明は,液晶表示装置(LCD)等のフラットハネルティスフレイ(FPD)製造用のカラス基板等の基板にフラスマ処理を施す誘導結合フラ スマ処理装置及ひフラスマ処理方法に関するものてある(段落【0001】)。1台の誘導結合フラスマ処理装置は,複数のアフリケーションに対応する必要か あり,それそれのアフリケーションにおいて均一な処理を行うためにフラスマ密度分布を変化させる必要かあるところ,従来技術においては,そのために高密度領域 及ひ低密度領域の位置を異ならせるように異なる形状のアンテナを複数準備してア フリケーションに応してアンテナを交換していた(段落【0005】)。しかしなか ら,アンテナの交換には多くの労力を要し,その製造費用も高価となる。また,複 数のアンテナを用意しても,更にフロセス条件の調整により対応せさるを得ないと いう課題か存在した(段落【0006】,【0009】)。そこて,前記の補正発明及ひ補正前発明に記載したとおりの構成をとり,インヒ ータンス調節手段によるインヒータンス調節により,複数のアンテナ部の電流値を 制御し,処理室内に形成される誘導結合フラスマのフラスマ密度分布を制御すると ともに(段落【0010】),アフリケーションことに最適なフラスマ密度分布か得 られる前記インヒータンス調節手段の調節ハラメータか予め設定され,所定のアフ リケーションか選択された際にそのアフリケーションに対応する前記インヒータン ス調節手段の調節ハラメータか予め設定された最適な値になるように前記インヒー タンス調節手段を制御する制御手段を有するものとした(段落【0011】)。補正発明及ひ補正前発明の実施形態に係るフラスマ処理装置の制御部50には, 処理条件に応してフラスマ処理装置の各構成部に処理を実行させるためのフロクラ ム,すなわち,レシヒか格納された記憶部52か接続され,任意のレシヒを記憶部 52から呼ひ出し,異なる電界強度分布を有する誘導電界を形成する複数のアンテ ナ部を有する高周波アンテナに接続された可変コンテンサ21の容量調節によって, フラスマ密度分布を制御することかてきる(段落【0037】,【0038】)。そして,アフリケーションことに最適なフラスマ密度分布を把握し,可変コンテ ンサ21のホシションを記憶部52に設定しておくことにより,最適な可変コンテ ンサ21のホシションを選択してフラスマ処理を行えるようにすることかてきる (段落【0038】,【0044】)。このように,可変コンテンサ21によりフラスマ密度分布を制御することかてき るのて,アンテナを交換する必要かなく,アンテナ交換の労力やアフリケーションことにアンテナを準備しておくコストか不要となる。また,可変コンテンサ21の ホシション調節によりきめ細かな電流制御を行うことかてき,アフリケーションに 応して最適なフラスマ密度分布か得られるように制御することか可能となる(段落 【0045】)。2 引用発明1と補正発明の相違点判断について
(1) 原告は,引用例1において,上記の相違点に係る制御手段は,現実に開示及ひ示唆されておらす,引用発明1には上記制御手段は存在しないから,審決の相 違点の認定に誤りかあると主張する。ア 引用発明1の特徴及ひ引用例1の記載について
(ア) 引用例1によれは,引用発明1について,以下のとおり認めることかてきる。
 引用発明1は,アンテナに高周波電力を供給して発生させたフラスマを用いて試料をフラスマ処理するフラスマ処理装置及ひフラスマ処理方法に関する発明てあり, その目的は,誘導結合アンテナを用いたフラスマ処理において,フラスマ分布を制 御することのてきるフラスマ処理装置を提供することにある(段落【0001】,【0 008】)。そして,第二の実施例として記載された装置ては,二系統の誘導結合アンテナ1 a,1bに流れる高周波電流の大きさを制御することて,フラスマ分布を制御てき る。具体的には,負のリアクタンスをもつハリコンのインヒータンスを調節して, 誘導結合アンテナ1aと誘導結合アンテナ1bとに流れる高周波電流の割合を制御 する。この実施例によれは,二系統の大きさの異なる誘導結合アンテナを設け,そ れそれの誘導結合アンテナへの高周波電力の印加量を制御することて,放電部内て のフラスマの分布を更に細かく制御することかてきるとの効果を奏する(段落【0 029】~【0032】,【0036】)。(イ) この引用発明1について,引用例1には以下の記載かある。「【0065】さらに,このような本発明は次のような半導体製造フロセスに適用す ることかてきる。図24は本発明を用いた半導体フロセスの工程の一例を示す図て ある。本フロセスての対象となる装置構成は前述した各実施例の何れかの構成を用 いる。 【0066】半導体フロセスては,エッチンクする材料に合わせて処理カスの種類, 真空容器内のカス圧,カス流量,アンテナに印加する高周波電力等を調整し,エッ チンクや成膜処理におけるウエハの均一処理か行えるようにフロセスレシヒを決め る。例えは,アルミニウムをエッチンクする場合には,処理カスとして塩素カスや 三塩化ホウ素カス等を用い,石英をエッチンクする場合には,処理カスとしてC4 F8 カスを用いる。 【0067】カスの種類やカス圧等か変われはフラスマの分布も変化するのて,従 来技術の装置を用いる場合には,上記2種類の材料をエッチンクする場合,異なる 装置を用いてエッチンク処理を行う必要かあった。 【0068】しかし,本発明の装置を用いれは,図24に示すように連続したフロ セス処理の途中に,複数の誘導結合アンテナに流れる高周波電流を調節してフラス マ分布調整するための工程31a,31b,31cを加えるとともに,異なるフロ セス30a,30b,30cをそれそれの行程31a,31b,31cの後に持っ てくることによって,同一の装置て各フロセスにおけるフラスマ分布を均一に調整 してウエハを均一に処理することかてきる。 【0069】これによって,各フロセス毎にウエハを装置間て移動したりする手間 か省けスルーフットの向上を図ることかてきる。また,一台の装置て複数のフロセ ス処理かてきるのて装置の台数を節約てきる。」イ 以上の記載を踏まえて,引用発明1において,相違点に係る制御手段か 存在しないといえるか否かについて検討する。(ア) 確かに,引用例1には,インヒータンスを調節するハリコンを制 御する手段に関する具体的な記載,及ひフロセスレシヒを決めた際(所定のアフリケーションか選択された際)に,対応する調節ハラメータか予め設定された最適な 値になるようにインヒータンス調節手段を制御することについての具体的な記載は ない。(イ) しかし,前記のとおり,引用例1には,半導体フロセスては,エ ッチンクする材料に合わせて処理カスの種類,真空容器内のカス圧,カス流量,ア ンテナに印加する高周波電力等を調整し,エッチンクや成膜処理におけるウエハの 均一処理か行えるようにフロセスレシヒを決めるか,カスの種類やカス圧等か変わ れはフラスマの分布も変化するのて,従来技術ては,異なる装置を用いてエッチン ク処理を行う必要かあったのに対して,引用発明1の装置を用いれは,連続したフ ロセス処理の途中に,複数の誘導結合アンテナに流れる高周波電流の大きさを制御 してフラスマ分布を調整するための工程を加えるとともに,その後,それそれの調 整工程に対応する異なるフロセスを持ってくることによって,同一の装置て各フロ セスにおけるフラスマ分布を均一に調整してウエハを均一に処理することかてき, 各フロセスことにウエハを装置間て移動したりする手間か省けスルーフットの向上 を図れ,一台の装置て複数のフロセス処理かてきることか記載されている。(ウ) また,証拠(乙1~4)によれは,本願出願時において,フロセ ス処理装置か,フロセスレシヒにより制御されることか周知てあると認められる。 (エ) さらに,乙4には,以下の記載かあり,フロセスレシヒの情報に 基ついてフロセス条件か設定されることにより,フロセス処理ことに適切なフラスマの状態を形成することについても開示されている。 「実際に印加する直流電圧をとのように設定すれはウエハWの面内均一な処理かてきるかはエッチンクすへき膜の種類,各電極3,4への供給電力なとによって異 なるのて,予め実験を行って処理毎の設定値を決めておくのか望ましい。」(段落 【0051】), 「異なるフロセス処理の一例として・・・これらの処理に対応するフロセスレシヒ かレシヒ選択手段62により選択され,選択されたフロセスレシヒの情報に基ついて処理条件か設定されることとなる。」(段落【0052】), 「こうして第1の処理てあるシリコンナイトライト膜65のエッチンクか終了する と,記憶領域61内の第2の処理のフロセスレシヒを読み出してフロセス条件か設 定され,第2の処理か開始される。」(段落【0056】), 「上述の実施の形態によれは,フォーカスリンク5の電極51に所定の直流電圧を 印加することにより,フロセス処理毎例えは処理条件の異なる膜の種類毎にフォー カスリンク5の表面とフラスマとの境界にあるイオンシース領域の形状を調整する ことかてき,ウエハWか面内均一に処理てきる適切なフラスマの状態を形成するこ とかてきる。従って,互いに異なる複数のフロセス処理を共通のフォーカスリンク 5を用いて処理することかてきるのて,装置の共用化を図ることかてきる。」(段 落【0057】)。(オ) そうすると,引用例1のフラスマ分布を調整するための工程に関 する記載に接した当業者は,事前に設定されたフロセスレシヒの情報に基ついて, 各フロセスにおけるフラスマ分布を均一にするようにハリコンのインヒータンスを 制御する手段を備えることを想起するといえる。(カ) そして,引用例1におけるスルーフットの向上についての「各フ ロセス毎にウエハを装置間て移動したりする手間か省け」(段落【0069】)と の記載は,「装置間て移動する手間」以外の手間を省略てきる要因を排除するもの てはなく,また,当業者は,上記の事前に設定されたフロセスレシヒの情報に基つ いて,各フロセスにおけるフラスマ分布を均一にするようにハリコンのインヒータ ンスを制御する手段を備えることを想起するに当たり,自動的にインヒータンスを 調整する制御手段を除外し,オヘレータかフラスマ分布を調整するもののみを想起 すると解することはてきない。加えて,このような制御手段を備えるものとした場合,オヘレータによる調整作 業か省略てきることによるスルーフットの向上か図れることは,当業者において自 明なものてある。(キ) そうすると,引用例1にインヒータンスを調節するハリコンを制 御する手段に関する具体的な記載,及ひフロセスレシヒを決めた際に,対応する調 節ハラメータか予め設定された最適な値になるようにインヒータンス調節手段を制 御することについて具体的な記載かないとしても,相違点に係る構成のように,ア フリケーションの選択に応して,調節ハラメータを予め設定された最適な値になる よう自動的に調整する制御手段を有することか,可能性の一つとして合理的に推認 されるものてあり,少なくとも,引用発明1において,「そのような制御手段を有 するかとうか不明」てあるとした審決の認定に誤りかあるとはいえない。(2) また,原告は,補正発明によれは,異なるアフリケーションを同一処理チ ャンハーて行う場合,これら複数のアフリケーションに最適な調整ハラメータか予 め設定されている結果,アフリケーション変更時に制御手段か調整ハラメータを自 動的に選択することにより,特別のフラスマを調整する工程を経ることなく次のア フリケーションを実行することかてきるのに対して,引用例1ては段落【0066】 ~【0068】,【図24】に記載されているように,異なるアフリケーションの間 にフラスマ分布調整するための工程31a,31b,31cを挿入している旨主張 する。しかし,補正発明は,アフリケーションことに最適なフラスマ密度分布を予め把 握して記憶部に設定したことにより,アフリケーションを選択した場合に,記憶部 かアフリケーションことに最適な可変コンテンサのホシションを選択してフラスマ 密度分布を制御するというものてあり,補正発明においても,制御手段か自動的に 調整ハラメータを選択し,設定することにより,フラスマ分布を調整するための工 程か前置していることは明らかてある。したかって,原告主張の上記点において,補正発明と引用発明1との相違点を見 出すことはてきない。3 補正発明に関する容易想到性判断について
(1) ます,原告は,補正発明の制御手段は,アンテナ回路への電流分配比を調 節してフラスマ密度分布を調整するためのものてあるのに,引用発明2か制御する のは,インヒータンス整合器てある点,補正発明は,最適な調整ハラメータを設定 するものてあるのに対し,引用発明2は,整合状態に至り得る特定の範囲内てイン ヒータンスを初期設定するものてあり,本質的機能か全く異なるのに,引用発明2 に相違点に係る構成かあると認定した点において,対比判断の誤りかあると主張す るのて,検討する。引用発明2の構成に関する審決の認定は,引用発明1と補正発明との相違点を認 定した上て,当該相違点に係る容易想到性判断を行う前提として行われる認定てあ るから,主引用発明との対比判断の手法とは自すから違いかある。確かに,相違点 に係る構成と引用発明2の構成において,原告か上記に指摘する相違かあることは そのとおりてあると解されるか,以下に述へるとおり,審決は,引用発明2に相違 点に係る構成かそのまま開示された旨を認定するものてはなく,引用発明2に開示 された技術事項から上記構成か容易に想到てきる旨を判断するものてあるから,引 用発明2と相違点に係る構成との間に差異かあるとしても,直ちに審決の判断に誤 りかあるということはてきない。すなわち,審決は,引用発明2について「フラスマ処理装置のインヒータンス整 合器を,フロセスことに異なるインヒータンスに整合させるために『各フロセスに 対応して予め定めた,ROM等に記憶されている制御テータを読み出して可変コン テンサによりインヒータンスを調整するインヒータンス制御回路』」と認定した上て, 「引用発明2はインヒータンス調整に際してこく普通に用いられる可変コンテンサ を用いたものてあり,引用発明2かインヒータンス整合器に限らす,広くインヒー タンス調整のために用いることか可能てあることは当業者にとって自明てある」こ とを考慮に入れて,容易想到性について判断しており,原告か指摘する上記相違点 の存在を前提としていることは明らかてある。また,引用発明2は,「インヒータン ス制御回路46は,各フロセスの初期設定段階において,例えはROM等に記憶されている制御テータを読み出して,インヒータンス整合器34のインヒータンスを 調整する・・・可変コンテンサC1,C2の容量を,各フロセスの初期設定段階て インヒータンスを整合させるための初期値としている」(段落【0048】)ものて あるところ,審決は,その対比判断の中て,引用発明2において調整の基礎とされ るへきテータについて,「各フロセスに対応して予め定めた,ROM等に記憶されて いる制御テータ」と正しく認定しており,初期設定後に最終的に到達すへき最適な 値として記憶されたものとは認定していない。そして,当該制御テータに整合する ように自動的にインヒータンスを整合させるという技術的観点から見れは,引用発 明2か相違点に係る「前記インヒータンス調節手段の調節ハラメータか予め設定さ れた最適な値になるように前記インヒータンス調節手段を制御する制御手段」との 構成を有していると認定することか誤りとなるものてはない。また,引用発明2に おいては,制御テータにより自動的に初期設定を行った後,更に最適なインヒータ ンス整合点に到達させる必要性かあることから,引用発明2か「最適な値になるよ うに前記インヒータンス調節手段を制御する制御手段」を有しているとの認定は若 干不正確てあるとしても,既に述へたとおり,ここての対比判断は,引用発明1と 補正発明との相違点を認定した上て当該相違点に係る容易想到性判断を行う前提と して行われるものてあり,後記のとおり,容易想到性を有するとの審決の判断に誤 りはないのてあるから,この点は,結論を左右するものてなく,取消事由とはなら ない。(2) 次に,容易想到性について検討する。
ア 前記のとおり,引用例1のフラスマ分布を調整するための工程に関する記載に接した当業者は,事前に設定されたフロセスレシヒの情報に基ついて,各フ ロセスにおけるフラスマ分布を均一にするようにハリコンのインヒータンスを制御 する手段を備えることを想起するといえる。そして,引用発明1においてこのよう な制御手段を備えるものとした場合,オヘレータによる調整作業か省略てきること によるスルーフットの向上か図れることは,当業者において自明なものてある。イ また,補正発明の「・・・インヒータンス調節手段を制御する制御手段」 は,「アフリケーションことに最適なフラスマ密度分布を把握し,予めそのフラス マ密度分布か得られる可変コンテンサ21のホシションを記憶部52に設定してお くことにより,制御部50によりアフリケーションことに最適な可変コンテンサ2 1のホシションを選択してフラスマ処理を行えるようにする」(段落【0044】) とされているから,制御手段か,記憶部に記憶された「可変コンテンサのホシショ ン」を読み出して,読み出された「可変コンテンサのホシション」に基ついて,イ ンヒータンス調整手段としての「可変コンテンサ」のホシションを選択することに より,インヒータンスを調整する態様を含むものてある。そして,補正発明の上記「インヒータンス調整手段を制御する制御手段」と引用 発明2の「各フロセスに対応して予め定めた,ROM等に記憶されている制御テー タを読み出して可変コンテンサによりインヒータンスを調整するインヒータンス制 御回路」とは,1ROM等の記憶手段に記憶されている制御テータに基ついて制御 を行うこと,2制御対象となる物の実体は可変コンテンサ(ハリコン)てあり,3 制御量は可変コンテンサの容量てある点において,技術的に共通するものてある。
 また,引用発明2は,インヒータンス調整に際して普通に用いられる可変コンテン サてあり,インヒータンス調整に可変コンテンサを用いることかてきるのは,当業 者にとって自明のことてある。ウ 本願出願時において,フロセス処理装置か,フロセスレシヒにより制御 されることは,前記のとおり周知てあり,また,フロセスレシヒの情報に基ついて フロセス条件か設定されることにより,フロセス処理ことに適切なフラスマの状態 を形成することについても,乙4に開示されている。エ 以上を踏まえると,当業者は,引用例1のフラスマ分布を調整するため の工程に関する記載により,事前に設定されたフロセスレシヒの情報に基ついて, 各フロセスにおけるフラスマ分布を均一にするようにハリコンのインヒータンスを 制御する手段を備えることを想起するといえ,さらに,引用例2の記載に接した当業者は,このインヒータンスを制御する手段の具体的な構成として,各フロセスに 対応して予め定めた,ROM等に記憶されている制御テータを読み出して可変コン テンサにより自動的にインヒータンスを調整する「インヒータンス制御回路」を採 用することを容易に想到するというへきてある。よって,補正発明は,引用発明1に引用発明2を適用することにより,当業者か 容易に発明をすることかてきたものてあり,その旨の審決の判断には誤りかない。 以上によれは,審決による補正発明の独立特許要件の判断(特許法29条2項)には誤りかない。
4 補正前発明の容易想到性判断について
補正発明は,補正前発明に限定を加えたものてあるところ,上記のとおり,補正 発明は,引用発明1及ひ引用発明2に基ついて,当業者か容易に発明をすることか てきたものてあるから,補正前発明も補正発明と同様に,引用発明1及ひ引用発明 2に基ついて当業者か容易に発明をすることかてきたものてある。よって,審決における補正前発明の容易想到性の判断に誤りはない。第6 結論
以上によれは,原告主張の取消事由はすへて理由かない。
 よって,原告の請求を棄却することとして,主文のとおり判決する。知的財産高等裁判所第2部
裁判長裁判官
清水節
裁判官
裁判官
中村恭
中武由紀

判例本文

この判例ページのURL

LINEで送る
Pocket