平成25年11月19日判言渡 平成25年(行ケ)第10068号 審取消請求事件 口頭弁論終結日 平成25年11月5日判
原 告 三洋電機株式会社
訴訟代理人弁護士尾崎英男 上野潤一 弁理士 廣瀬文雄 豊岡静男被 告 日亜化学工業株式会社
訴訟代理人弁護士古城春実 牧野知彦 堀籠佳典 加治梓子 弁理士 蟹田昌之主文 原告の請求を棄却する。
 訴訟費用は原告の負担とする。
事実及ひ理由 第1 原告の求めた判
特許庁か無効2012-800033号事件について平成25年2月5日にした 審を取り消す。第2 事案の概要 本件は,特許無効審判請求を不成立とする審の取消訴訟てある。争点は,容易想到性の有無てある。
1 特許庁における手続の経緯 被告は,平成10年5月15日,名称を「窒化物半導体の成長方法及ひ窒化物半導体素子」とする発につき,特許出をし(特平10-132831号。国内 優先権主張日:平成9年11月26日・甲27),平成15年5月26日,この出 の一部を分割して,発の名称を「窒化物半導体素子」とする分割出をし,平 成21年5月29日,特許登録を受けた(特許第4314887号・甲25)。そこて,原告か,平成24年3月23日,請求項1ないし3につき特許無効審判 請求をした(無効2012-800033号)ところ,被告は,特許請求の範囲の 記載の一部及ひ細書の発の詳細な説の記載の一部をそれそれ改める同年11 月19日付け訂正請求書の訂正請求をした(本件訂正・甲26)。特許庁は,平成 25年2月5日,「訂正を認める。本件審判の請求は,成り立たない。」との審 をし,この謄本は同月15日に原告に送達された(なお,本件訴訟において,審 か訂正を認めた部分については争いかない。)。2 本件発の要旨
本件特許公報(甲25)及ひ本件訂正細書(甲26・以下,甲25の特許公報 と併せて「本件細書」ともいう。)によれは,訂正後の本件特許の請求項1ないし 3に係る発は,以下のとおりてある。【請求項1】(本件発1)
厚みか50μm以上てあり,少なくとも下面から厚さ方向に5μmよりも上の領域ては結晶欠陥の数か1×107個/cm2以下てある,ハライト気相成長法(HV PE)を用いて形成されたn型不純物を含有するGaN基板と,前記GaN基板の上に積層された,活性層を含む窒化物半導体層と,前記窒化物半導体層に形成されたリッシストライフと,該リッシストライフ上に 形成されたp電極と,前記GaN基板の下面に形成されたn電極と,
を備えたことを特徴とする窒化物半導体素子。
 【請求項2】(本件発2)前記GaN基板は,結晶欠陥か1×106個/cm2以下の領域を有する請求項1 に記載の窒化物半導体素子。【請求項3】(本件発3)
前記窒化物半導体層にはn側クラット層,活性層,p側クラット層か順に積層さ れており,該p側クラット層には前記リッシストライフか形成されている請求項1 に記載の窒化物半導体素子。3 原告か主張する無効理由
本件発1ないし3は,刊行物1(国際公開第97/11518号,甲1)に記 載された引用発及ひ以下の文献(甲2ないし8)に記載された周知技術に基つい て当業者か容易に発をすることかてきたものてある。甲2:Akira Usui 他,”Thick GaNEpitaxial Growth with Low Dislocation Density by Hydride Vapor Phase Epitaxy”,Jpn. J. Appl. Phys.,15 July 1997,Vol. 36(1997),part-2, No. 7B,pp. L899-L902甲3:特開平9-115832号公報
甲4:伊賀健一編著,「応用物理学シリース 半導体レーサ」,平成6年10月2 5日,オーム社,199~214頁甲5:小沼 稔他編著,「よくわかる半導体レーサ」,平成7年4月10日,工学図書,141~149頁,158~160頁 甲6:特開平8-116090号公報甲7:特開平7-273367号公報
甲8:柴田巧他,”CPM97-19 HVPE法による選択成長を用いた高品質GaNハルク単結晶の作製及ひ評価”,「電子情報通信学会技術研究報告」,信学技報, 1997年5月23日,Vol.97,No.61,35~40頁4 審の理由の要点 (1) 引用発について
刊行物1に記載された引用発は,以下のとおりてある。
 「サファイア基板1の(0001)表面上にiO2膜(絶縁膜)を気相成長法により 直接形成し,上記iO2膜にストライフ状に複数の目空き部を形成して,iO2 膜(絶縁膜)マスク4とし,前記iO2膜(絶縁膜)マスク4か形成されたサファイア基板1を窒化物半導 体結晶成長炉(MOCVD装置)に入れ,アンモニア(NH3)カス,トリメチルカリウム(TMG)カスを連続的に供給 し,サファイア基板1を成長温度1030°Cに加熱し,前記iO2膜(絶縁膜)マスク4の目空き部にて結晶構造を有する領域の表面 から縦方向に延伸するように成長し,iO2膜(絶縁膜)マスク上にて目空き部 から突出して成長した窒化物半導体の側面を新たな成長界面として横方向(即ち, 当該iO2膜(絶縁膜)マスク上面に略平行な方向)に成長させることて,成長 したGaN結晶の結晶欠陥の密度か,目空き部の上側において108~1011cm- 2,iO2膜(絶縁膜)マスク4の上側て104~105cm-2,また,iO2膜 (絶縁膜)マスク4の上側てあって前記横方向に成長したGaN結晶の合体部の欠 陥密度か最大106~107cm-2程度となる,iO2膜(絶縁膜)マスク4を利 用した窒化物半導体の結晶成長技術を用いて形成した半導体レーサ素子において,キャリア注入により素子動作を行う領域をiO2膜(絶縁膜)マスク4上に形 成された領域てあるホモエヒタキシャル部上てあって,iO2膜(絶縁膜)マス ク4上における結晶の合体領域上部を避けて素子動作を行う領域か形成されるよう に,iO2膜(絶縁膜)マスク4上に形成されたホモエヒタキシャル部(GaN 層)にn型の不純物をトーフしたn型クラット層62とn型のAl0.15Ga0.85 N層からなる光導波層63,アントーフのInGaN多重量子井戸層からなる活性 層66,p型のAl0.15Ga0.85Nからなる光導波層,p型のGaNからなるク ラット層65,p型クラット層65より高い濃度の不純物を含むp型GaNのキャ ッフ層68,p型電極10を積層して形成され,前記p型のクラット層65に埋め 込まれて前記活性層66におけるキャリア注入領域を制限するn型のGaN層67 から成る積層構造55を形成し,サファイア基板1側をラッヒンクし,n型クラット層の下面を露出させ,n型ク ラット層の露出した下面にn型電極11を形成し,その後,単体の素子に切り出すために,各目空き部の中央と各iO2膜マスク 4の中央に,積層構造55の上から下に向けてそれそれタイシンクして, 形成した半導体レーサ素子。」(2) 本件発1の技術的意義について 本件発1による「ハライト気相成長法(HVPE)を用いて形成されたn型不純物を含有するGaN基板」として,「厚みか50μm以上てあり,少なくとも下面 から厚さ方向に5μmよりも上の領域ては結晶欠陥の数か1×107個/cm2以 下」てある基板は,本件訂正細書の段落【0018】~【0022】に記載され た製造方法によってのみ製造され,かつ,同【0013】に記載されているように 厚さ50μmのGaN基板を用いているから,表面において全面的に結晶欠陥を少 なくしているものてある。そして,全面的に結晶欠陥を少なくしていることにより,従来の結晶欠陥か一部 の領域において偏在する場合に有する場合の課題てある一枚の厚膜基板から多数の素子を形成する際のリッシストライフ形成における信頼性の欠如を回避しているこ とから,表面において全面的に結晶欠陥を少なくしている本件発1による「ハラ イト気相成長法(HVPE)を用いて形成されたn型不純物を含有するGaN基板」 として,「厚みか50μm以上てあり,少なくとも下面から厚さ方向に5μmよりも 上の領域ては結晶欠陥の数か1×107個/cm2以下」てある基板は,技術的意味 を有している。(3) 本件発1と引用発との一致点及ひ相違点について 【一致点】「結晶欠陥の数か1×107個/cm2以下の領域を少なくとも部分的に有して いる,気相成長方法を用いて形成されたn型不純物を含有するGaN基板と,前記GaN基板の上に積層された,活性層を含む窒化物半導体層と, 前記窒化物半導体層の上に形成されたp電極と, 前記GaN基板の下面に形成されたn電極と, を備えた窒化物半導体素子。」【相違点1】 本件発1の「n型不純物を含有するGaN基板」は,「厚みか50μm以上てあり,少なくとも下面から厚さ方向に5μmよりも上の領域ては結晶欠陥の数か1× 107個/cm2以下てあ」り,「ハライト気相成長法(HVPE)を用いて形成さ れ」ているのに対して,引用発の「n型の不純物をトーフしたn型クラット層6 2」は,厚みに関する特定かなされておらす,結晶欠陥の数については,キャリア 注入により素子動作を行う領域ては104~105cm-2てあるか,タイシンク領域 近傍において,108~1011cm-2,106~107cm-2程度の領域か除去され ているか否か不てあり,有機金属気相成長法を用いて形成されている点。 【相違点2】本件発1は,「厚みか50μm以上てあり,少なくとも下面から厚さ方向に5μ mよりも上の領域ては結晶欠陥の数か1×107個/cm2以下てあ」る「n型不純物を含有するGaN基板」を用いた窒化物半導体素子において,「窒化物半導体層に 形成されたリッシストライフ」を有し,p電極か,該リッシストライフ上に形成さ れているのに対して,引用発は,p型クラット層65中に「キャリア注入領域を 制限するn型のGaN層67」を有し,p型電極10は,p型クラット層65に積 層されたp型GaNのキャッフ層68の上に形成されている点。(4) 相違点に関する審の判断は,以下のとおりてある。 ア 相違点1について本件発1は「,少なくとも下面から厚さ方向に5μmよりも上の領域ては結晶欠 陥の数か1×107個/cm2以下てある」か,n型不純物を含有するGaN基板の 面方向に関して,結晶欠陥の数か,1×107個/cm2を超えるような結晶欠陥の 偏在箇所を有していないものてあることは,前記(2)て,摘示したようにらかてあ る。一方,引用発は,刊行物1の図6Aの(2)において,「要は,キャリア注入に より素子動作を行う領域をホモエヒタキシャル部上に形成することてあり,僅かの 結晶欠陥にも性能か左右される素子においては,マスク4上における結晶の合体領 域上部を避けて素子動作を行う領域を形成する図6A(2)の構成を採用すること か望ましい。」と記載されており,また,刊行物1において例示された実施例1~5, 7~12,14を示す,図7A~図18Cには,いすれも活性層に絶縁膜マスク及 ひ活性層の中央領域以外の中央領域近傍において結晶欠陥密度か108~1011c m-2てある絶縁膜マスク窓部をそれそれ複数有しているか,あるいは,上下2層て すれた絶縁膜マスク窓を設けていることか図示されている。しかも,図7Cに示される構造は,刊行物1の25頁下から6,5行に,「図7C に示す構成ては,発光活性層内における低欠陥密度て低光損失の中央領域にのみ電 流を注入するリッシストライフ構造を有している」と記載されており,リッシスト ライフを形成する際にも,結晶欠陥密度か108~1011cm-2てある絶縁膜マス ク窓部を残してもよいことか説されている。してみると,図6A(1),(2)において,結晶欠陥密度か「1×107個/c m2」よりも大きい,目空き部40(108~1011cm-2)及ひ合体部(106~ 107cm-2程度)をタイシンクする際に,それらの欠陥密度の高い領域を積極的 に全て除去して欠陥密度の低い領域のみを形成すへき動機付けかない。イ 相違点2について リッシストライフ構造自体は,請求人(本訴原告)か主張するように周知てあるか,刊行物1に記載されている全てのリッシストライフ構造を有している実施例におい て,基板及ひマスクを除去した例はなく,基板及ひマスクを除去せすにマスク及ひ 目空き部(窓)を複数設けた例のみか示されているにすきない。また,一般的なリッシストライフ構造自体にも種々のものかあり,例えは,甲4 には,リッシを形成したクラット層か電流狭窄層に挟まれた構造を内部に設けたも のか例示され,甲6の図3には,最上層のp型クラット層をエッチンクによりメサ 形状とし,電流狭窄層を設けてはいないものか例示されているか,刊行物1以外の 甲号証において,リッシストライフを有する素子を形成する際に,選択成長を用い ることは記載されていない。してみると,刊行物1の図6A,Bに記載された素子構造において,リッシスト ライフ構造を採用しようと考えること自体は容易かも知れないか,リッシストライ フを採用する際に,具体的なマスクの大きさ及ひ窓部の大きさ等をとのように設定 するのか,また,厚膜とした場合の反りの問題解の際におけるリッシストライフ とマスクとの対応関係をとのように図るのか,他の甲号証を参酌してもこれを特定 することはてきない。したかって,信頼性をあけ,満足てきる寿命を有した素子を増した窒化物半導 体素子として,窒化物半導体層にリッシストライフを形成しようとする際に,「厚み か50μm以上てあり,少なくとも下面から厚さ方向に5μmよりも上の領域ては 結晶欠陥の数か1×107個/cm2以下てあ」る「n型不純物を含有するGaN基 板」とすることか容易てあるとはいえない。(5) 本件発2及ひ3について 本件発2及ひ3は,本件発1の発特定事項を全て含むものてあるから,同様に,引用発及ひ各甲号証に記載された周知技術に基ついて当業者か容易に発 をすることかてきたとはいえない。第3 原告主張の審取消事由
1 相違点1の認定の誤り 本件発1ては,結晶欠陥の数か,「少なくとも下面から厚さ方向に5μmよりも上の領域ては結晶欠陥の数か1×107個/cm2以下てあ」ると,基板下面から垂 直方向の限定しかなされていないのに,審は,5μmよりも上の領域は,全面に おいて結晶欠陥か少なく,偏在のない基板と捉えた上て,引用発について「結晶 欠陥の数については,キャリア注入により素子動作を行う領域ては104~105c m-2てあるか,タイシンク領域近傍において,108~1011cm-2,106~1 07cm-2程度の領域か除去されているか否か不てあり」と,基板平面内の結晶 欠陥の数を認定した。これにより,審は,本件発1と引用発との基板下面から垂直方向の結晶欠 陥の数を比較することをせす,相違点1の認定を誤ったものてある。本件発1の 技術的意義を正しく認定すれは,「結晶欠陥の数か1×107個/cm2以下てある, エヒタキシャル成長を用いて形成されたn型不純物を含有するGaN層」という点 は,両発の一致点てあって,相違点となるものてない。(1) 本件発1の技術的意義についての判断の誤り
ア 本件発1を,構成要件ことに分説して示すと以下のとおりてある。A:厚みか50μm以上てあり,少なくとも下面から厚さ方向に5μmよりも上 の領域ては結晶欠陥の数か1×107個/cm2以下てある,ハライト気相成長法 (HVPE)を用いて形成されたn型不純物を含有するGaN基板と,B:前記GaN基板の上に積層された,活性層を含む窒化物半導体層と,C:前記窒化物半導体層に形成されたリッシストライフと,該リッシストライフ 上に形成されたp電極と,D:前記GaN基板の下面に形成されたn電極と, E:を備えたことを特徴とする窒化物半導体素子。
 このように本件発1は窒化物半導体素子の発てあるところ,「GaN基板」を規定する構成要件Aは,結晶欠陥の数については,少なくとも下面から厚さ方向 に5μmよりも上の領域ては1×107個/cm2以下てあると特定するのみてあ る。すなわち,特許請求の範囲において,結晶欠陥の数値的限定は,基板下面から 垂直方向に所定の領域て規定されているか,GaN基板の結晶欠陥か表面において 全面的に少なくなっているとか,結晶欠陥の偏在かないとか,基板の平面内におけ る結晶欠陥濃度の分布に関する限定は一切ない。イ 本件細書に「窒化物半導体の成長方法」に関する記述かあるのは,本 件特許出か「窒化物半導体の成長方法」の発を記載した原出からの分割出 てあることに由来するにすきないのに,審は,本件発1と関係のない原出に 係る製造方法に関する記載を引用して本件発1の技術的意義を認定しており,誤 りてある。本件発1は,素子の発てあり,結晶成長方法については,構成要件 Aてハライト気相成長法(HVPE)を用いて形成すると規定する以外の限定はな く,本件細書の段落【0019】~【0022】に記載されているような,結晶 欠陥か横方向に伸ひることによって,厚さ方向に伸ひる結晶欠陥を少なくした結晶 成長法により作製された基板に限定されてもいない。また,審における結晶欠陥の偏在の問題についても,引用発ては製造途中の ウェーハにおいて絶縁膜マスク窓部の位置に結晶欠陥の偏在か生し,その後,発光 素子構造を形成する際に,これを考慮した位置合わせか必要になるという製造工程 の途中における問題を取り上けている。本件発1は素子の発てあるから,素子 の製造工程の課題作用・効果に基ついて発の進歩性判断を行う場合には,根拠 となる構成か素子の発の構成要件に含まれていなけれはならない。本件発1のように,製造工程の特徴か,素子の発の構成要件によって記載されていない以上, 当該素子の発は,当該製造工程の特徴を有していない素子の発と異なるところ はない。審ては,製造途中のウェーハにおける結晶欠陥の偏在という,請求項1 には記載されていない製造方法を根拠として,本件発1の進歩性を認めるという 誤った判断かなされている。(2) リハーセ判違反について 最高裁判所昭和62年(行ツ)第3号平成3年3月8日第二小法廷判・民集45巻3号123頁。以下「リハーセ判」という。)は,特許性(進歩性)を判断す る際の「発の要旨の認定」について,特段の事情のない限り,書に添付した 細書の特許請求の範囲の記載に基ついてされるへきてあると判示し,特許請求の範 囲に記載のない事項に基ついて発の要旨認定を行い,かかる発の要旨に基つき 進歩性を判断することを確に否定している。本件ては,上記のとおり,本件発1の構成要件Aは,GaN基板は,厚さか5 0μm以上てあり,少なくとも下面から厚さ方向に5μmよりも上の領域ては結晶 欠陥の数か1×107個/cm2以下てあり,ハライト気相成長法(HVPE)を用 いて形成されたn型不純物を含有するものてあることを規定するものて,その技術 的意義は十分確てあり,構成要件Aの記載文言を,本件細書を参酌して解釈す る必要もない。そもそも,審か,本件発1の構成要件Aの「GaN基板」につ いて,結晶欠陥か保護膜上て横方向に伸ひるように成長させることによって製造さ れ,結晶欠陥か偏在しないGaN基板てあると認定し,相違点1の認定,及ひ相違 点1,2の容易想到性判断において,これを本件発1の技術的意義として参酌し たことは,本件発1の構成要件に記載されていない事項を,実質上,本件発1 の発の要旨に取り込むことてあり,リハーセ判に反し,許されるものてはない。2 相違点1に関する容易想到性判断の誤り 以下のとおり,審の行った相違点1に関する容易想到性の判断は,いすれも誤りてある。
(1) 結晶欠陥密度の限定について
審は,刊行物1の図6A(1),(2)において,結晶欠陥の数か「1×107 個/cm2」より大きい,目空き部40(108~1011cm-2,)及ひ合体部(1 06~107cm-2程度)をタイシンクする際に,欠陥密度の大きい領域を積極的に 全て除去すへき動機付けかないと判断した。しかし,前記のとおり,本件発1の特徴的構成は,素子の基板(素子の作製に 用いられたウェーハてはなく,素子に分離された後の基板)の垂直方向の欠陥密度 の数値限定たけてあり,審か,素子の作製に用いられたウェーハにおける欠陥の 偏在,引用発において欠陥密度の大きい領域を積極的に全て除去することの動 機付けを問題にすること自体かそもそも誤りてある。また,仮に,審の判断のとおり,本件発1において,半導体素子の機能に関 係しないGaN基板の領域を含め,素子の全部の領域て結晶欠陥の数か1×107 個/cm2以下の意味てあると解釈される場合てあっても,半導体素子の機能に関 係しない領域については技術的意義かないから,これを比較の基礎とする判断は相 当てなく,引用発の目空き部(108~1011cm-2)及ひ合体部(106~1 07cm-2程度)との点は,本件発1との実質的相違点となるものてはない。(2) 結晶成長方法について 審は,「引用発において,ハライト成長法を採用することか可能てあったとしても,ハライト成長法によって,『厚みか50μm以上てあり,少なくとも下面から 厚さ方向に5μmよりも上の領域ては結晶欠陥の数か1×107個/cm2以下て ある』,『n型不純物を含有するGaN基板』を成長てきない」と判断している。審 は,引用発において有機金属成長法をハライト成長法に変えることて,マスク 上方において有機金属成長法と同程度の低欠陥密度(つまり,104~105cm- 2)を得ることは認めなから,引用発の基板成長法ては窓部の上方において結晶 欠陥か偏在するのて,ハライト成長法を採用しても,結晶欠陥の偏在しないGaN基板を得ることかてきないというものてある。
 しかし,前記のとおり,本件発1は素子の発てあり,本件発1のGaN基板を得る成長方法としてハライト成長法か規定されているたけてあり,結晶欠陥の 偏在かないGaN基板を形成するための選択成長の限定は存在しないのてあり,判 断の前提か誤っている。また,引用発において有機金属成長法を単純にハライト成長法に変えることて, マスク上方において,有機金属成長法と同程度の低欠陥密度となることは十分に予 想てきるのてあり,しかも,引用発の欠陥密度は,キャリア注入より素子動作を 行う領域て104~105cm-2てあり,これは107cm-2よりも2桁以上小さい 値てあるから,ハライト成長法に変えたとしても結晶欠陥の数か1×107個cm2 以下に留まることはらかてある。したかって,引用発において有機金属気相成長法に代えてハライト成長法に適 用し,これにより,「厚みか50μm以上てあり,少なくとも下面から厚さ方向に5 μmよりも上の領域ては結晶欠陥の数か1×107個/cm2以下てある」,「n型不 純物を含有するGaN基板」を得ることを,当業者は容易に想到てきる。(3) GaN基板の膜厚について
ア 審は,GaN基板の膜厚を,加工に対する強度を得るために厚くすることは周知てあることを認めたうえて,(i)厚膜成長に際して,膜厚を厚くするこ とにより結晶欠陥の偏在を減少させ,結晶欠陥の偏在を生しさせない選択成長を用 いることを示す証拠は提示されておらす,刊行物1には,引用発における結晶欠 陥の偏在領域を,膜厚を厚くすることて減少させることについての説かないこと, (ii)厚膜による反りの課題解をはかりなから低欠陥領域とキャリア注入領域とを 一致させる具体的な方法を示した証拠かなく,これか周知技術てもないことを理由 として,引用発において,リッシストライフを有して下地基板を除去する素子構 造とし,かつ,膜厚を50μm以上とすることか容易に想到し得たといえないと判 断する。しかしなから,上記(i)は,上記に述へたように構成要件上限定のない,引用発 の基板の作成方法における結晶欠陥の偏在を問題とするものてある。また,上記 (ii)は,本件発1はGaN基板か「結晶欠陥の偏在か少ないもの」てあるため, 厚膜による反りの課題解を図りなから低欠陥領域とキャリア注入領域とを一致さ せることかてきる効果を有することを前提とする議論てあり,いすれも前提におい て誤っている。イ GaN基板には,ラッヒンクから電極形成,素子の切り出しの工程,さ らに,ラッヒンク後に洗浄,電極形成工程てのハントリンク,単体の素子をハッケ ーシに組み立てる作業に耐えられる十分な強度か必要てある。そして,GaN基板 の膜厚を50μm以上とすることは周知てあり,甲12の段落【0019】甲7 の段落【0040】にも記載されている。そうすると,刊行物1に記載されている 引用発の素子ては,サファイア基板1を除去した後は,強度を維持する構造体は, GaNの「クラット層62」てあるから,当該クラット層は,50μm以上の十分 な厚みを有していることからかてある。以上より,GaN基板の厚みか50μm以上てあることは,本件発1と引用発 との実質的な差異てはなく,少なくとも刊行物1の記載に基ついて当業者か容易 に想到てきる程度のことてある。(4) 効果について 審は,本件発1は,厚膜による反りに対する課題解等を図ることかてきるという引用発には見出せない効果を有しているとする。
 しかし,審か認定する厚膜による反りに対する課題解等の効果は,本件発1の構成要件Aの構成から得られるものてはない。審は,本件発1のGaN基 板か,結晶欠陥を偏在させない方法によってのみ形成された基板てあるとの前提て 上記課題解の効果を認定しているか,前記のとおり,本件発1は基板か結晶欠 陥を偏在させない方法によってのみ形成されるという限定を有していないのてある から,その前提か誤っている。3 相違点2に関する容易想到性判断の誤り
審は,従来の成長法によって成長を行った場合は,保護膜を除去したことによ り,結晶欠陥の偏在位置を特定しつらくなるため,結晶欠陥の少ない窓部とリッシ ストライフを形成すへき位置とを一致させることか困難てあり信頼性か劣ることに なるのに対し,結晶欠陥か偏在していなけれは,窓部等との一致をさせなくても信 頼性を損なうことかないとの認識の下,本件発1は,結晶欠陥か偏在していない ためにリッシストライフをとこにても形成てきるのに対し,引用発ては,リッシ ストライフを形成している実施例はマスクかあるものたけて,図6A,Bのように マスクを除去した場合には,結晶欠陥の少ない,リッシストライフを形成する場所 を特定することかてきないから,引用発においてリッシストライフを形成するこ とは容易てないと判断しているようてある。しかし,本件発1には,マスク(保護膜)を用いた結晶成長法の限定も,結晶 欠陥か基板の平面内において偏在しないとの限定も存在しないから,審の認定す る相違点2の困難性は本件発1には当てはまらない。したかって,審の相違点2の容易想到性に関する判断も誤りてある。第4 被告の反論
1 原告主張1に対し
(1) 審の行った相違点1の認定には,以下に述へるように,誤りはない。
 ア 本件発1には,「厚みか50μm以上てあり,少なくとも下面から厚さ方向に5μmよりも上の領域ては結晶欠陥の数か1×107個/cm2以下てあ る,・・・GaN基板」とあるから,当該請求項の記載自体から,「GaN基板面方 向に関して,結晶欠陥の数か1×107個/cm2を超えるような結晶欠陥の偏在箇 所を有していない」とする認定は正当てある。すなわち,構成要件Aの「少なくと も下面から厚さ方向に5μmよりも上の領域ては結晶欠陥の数か1×107個/cm2以下てある」は,「下面」を基準としているから,そこから5μmよりも上の領 域ては,との箇所も,1×107個/cm2以下てあることを意味していることは らかて,これ以外の解釈の余地はない。構成要件Aか規定しているのは「下面から 厚さ方向に5μmよりも上の領域」における結晶欠陥の数てあって,「厚さ方向の結 晶欠陥の数」てはなく,また,「領域」には,原告かいう「面方向」の領域も当然に 含まれているといえる。そして,との箇所も1×107個/cm2以下てある以上, 当然なから,基板面方向に1×107個/cm2を超える偏在箇所はないから,審 の認定は正当てある。原告の主張のように考えると,下面から厚さ方向に5μmよりも上の領域におけ る面方向において,結晶欠陥の数か1×107個/cm2を超えるような領域かあっ てもよく,逆にいえは,その一部にても結晶欠陥の数か1×107個/cm2以下の 領域かあれはこの構成要件を充足することになろうか,特許請求の範囲において, 「少なくとも下面から厚さ方向に5μmよりも上の領域ては結晶欠陥の数か1×1 07個/cm2以下てある,・・・GaN基板」とある場合に,このような解釈か認 められないことはらかてある。さらに,本件発1の基本的な目的は,窒化物半導体素子構造を成長させる面に おいて,結晶欠陥か少ない基板を提供し,もって,結晶欠陥の少ない窒化物半導体 素子を提供することにあること(段落【0007】)に照らし,半導体素子構造を形 成する面において,結晶欠陥か1×107cm-2より多い領域かあることを許容し ていないことからかてある。イ 確かに,審の認定ては,本件発1と引用発との結晶成長方法の差 異に言及している箇所かあり,その部分の認定は適切とはいえない。しかし,審 の認定の趣旨は,本件発1ては,「少なくとも下面から厚さ方向に5μmよりも上 の領域ては結晶欠陥の数か1×107個/cm2以下てある」として,5μmよりも 上の領域ては,との箇所をとっても,1×107個/cm2以下てあることを特定し ているのに対し,引用発ては結晶欠陥の数に偏在か生しているという,「物」としての構成の差異をいうものと理解することかてきるのてあり,その結論は正当てあ るから,審の認定の不適切さか審の結論に影響を与えているとはいえない。(2) リハーセ判は,特許請求の範囲に従った要旨認定を行わなけれはならな い旨を述へているたけてあって,そのようにして認定された発の技術的意義を 細書の開示に基ついて理解することを禁止するものてはないところ,審か行って いる認定は,特許請求の範囲の記載に基ついて正しく発の要旨認定を行った上て, 細書を参酌してその技術的意義を述へているたけのことてあるから,リハーセ判 に反するものとはいえない。2 原告主張2に対し
以下のとおり,当業者において,当該相違点に係る構成を採用することか容易想 到てあるとはいえす,審の結論に誤りはない。(1) 結晶欠陥密度の限定について 審か図6A(1),(2)において,結晶欠陥密度か「1×107個/cm2」よりも大きい,目空き部40(108~1011cm-2)及ひ合体部(106~107c m-2程度)をタイシンクする際に,それらの欠陥密度の大きい領域を積極的に全て 除去すへき動機付けかないとした点については,審の正しく認定するとおりてあ る。そして,前記1(1)イて述へたとおり,審は,本件発1と引用発の「物」と しての構成の差異をいうのてあって,結晶成長方法の違いを根拠として容易想到性 を否定したものてはないのてあるから,原告の主張は当たらない。(2) 結晶成長方法について 審は,前記のとおり,引用発に関して,結晶欠陥の偏在を生しさせる結晶成長方法自体を認定するものというのてはなく,結晶成長後に得られた「物」に関し て,結晶欠陥の数の偏在か存在することを認定し,そのため,引用発にハライト 気相成長法(HVPE)を採用したとしても,1×107個/cm2以下という数値を得ることかてきないとの認定をしたと理解てきる。
 また,ハライト気相成長法(HVPE)に関しては,例えは,同し横方向成長技術を用いた刊行物1(MOCVDを採用)と甲2(HVPEを採用)てあっても, それそれ結晶欠陥の数は104~105cm-2と6×107/cm2(甲2の要約部 分と「4.Conclusion」とを参照)て異なっているのてあるから,MO CVDをHVPEに代えた場合に,同し結晶欠陥の数か得られるとはいえないこと からかてある。さらに,そもそも,ハライト気相成長法(HVPE)は比較的厚膜を形成するた めに用いられる技術てあるところ,後記のとおり,引用発にはGaN基板を厚膜 に形成する動機かないから,引用発のGaN基板をハライト気相成長法(HVP E)て形成する理由は存在しない。(3) GaN基板の膜厚について 引用発のGaN基板はクラット層からなるところ,一般的に,クラット層の厚みは,厚めに見積もってもせいせい数μm程度てあって(甲17~23),50μm はおろか,5μmのクラット層さえ形成することかない。引用発ては,審か正しく認定するとおり,本件発1とは異なり,多数の結 晶欠陥か目空き部(窓領域)の上方に伸ひる結果,これをたとえ厚膜に成長させた としても結晶欠陥の少ない領域か更に広かるわけてはなく,結晶欠陥の数の分布に 変化はないのてあるから,引用発ては,当該クラット層に50μmの厚膜を採用 すへき理由かない。よって,引用発のクラット層を50μmにまて厚くする動機 付けかない。3 原告主張3に対し
審の趣旨は,本件発1と引用発に関して,マスク窓部に関する結晶成長 方法の差異を指摘しているのてはなく,結晶欠陥の数の偏在の有無という「物」の 構成の差異を認定したものと理解することかてき,引用発ては,1×107個/cm2を超える偏在箇所か存在するため,引用発についてリッシストライフを形 成しようとしても,「厚みか50μm以上てあり,少なくとも下面から厚さ方向に5 μmよりも上の領域ては結晶欠陥の数か1×107個/cm2以下てあ」る「n型不 純物を含有するGaN基板」とすることか容易てはないとして,「物」としての結晶 欠陥の偏在を根拠として,容易想到性を否定していると理解することかてきる。したかって,審の認定の一部に不適切な点かあるとしても,その結論において 正当てある。第5 当裁判所の判断
1 本件発1について 本件細書(甲25,26)によれは,本件発1につき以下のことを認めることかてきる。
 本件発1は,結晶欠陥の少ない窒化物半導体基板を用いたレーサ等の窒化物半導体素子に関するものてある(段落【0001】)。格子不整合て半導体材料を成長 させると,半導体中に結晶欠陥か発生し,その結晶欠陥か半導体テハイスの寿命に 大きく影響するため,従来,サファイア基板上に,結晶欠陥か非常に多いGaN層 を薄く成長させ,その上にiO2よりなる保護膜を部分的に形成し,その保護膜 の上からハライト気相成長法(HVPE),有機金属気相成長法(MOVPE)等の 気相成長法を用いて,再度GaN層を横方向に成長させるというラテラルオーハー クロウス(LOG)と呼はれる成長方法により,結晶欠陥の少ない窒化物半導体を 成長させる試みか行われた(段落【0002】~【0004】)。この従来の方法に よると,保護膜の上部に結晶欠陥を集中させて,窓部に結晶欠陥の少ない領域を作 製すること,すなわち,意図的に結晶欠陥を偏在させることかてきるのて,異種基 板上に直接成長させた窒化物半導体よりも,結晶欠陥の数は減少するか(段落【0 006】),窒化物半導体表面に現れている結晶欠陥の数は多く未た十分満足てきる ものてはなく,また,窒化物半導体素子についても,結晶欠陥か偏在するため,信頼性も十分とはいえす,そのため一枚のウェーハからレーサ素子を多数作製しても, 満足てきる寿命を有しているものはわすかしか得られないのて,寿命に優れた素子 を作製するためには,窒化物半導体表面に現れた結晶欠陥の数を更に減少させる必 要かあった(段落【0007】)。そこて,本件発1は,基板となり得る窒化物半導体の結晶欠陥を少なくして, 信頼性に優れた窒化物半導体素子を提供することを目的とし(段落【0007】), 厚みか50μm以上てあり,少なくとも下面から厚さ方向に5μmよりも上の領域 ては結晶欠陥の数か1×107個/cm2以下てある,ハライト気相成長法(HVP E)を用いて形成されたn型不純物を含有するGaN基板と,前記GaN基板の上 に積層された,活性層を含む窒化物半導体層と,前記窒化物半導体層に形成された リッシストライフと,該リッシストライフ上に形成されたp電極と,前記GaN基 板の下面に形成されたn電極と,を備えることによって(段落【0008】,【00 09】),結晶欠陥か少ないGaN基板の上に活性層を含む窒化物半導体層を積層し ているのて,非常に信頼性の高い素子か実現てきるという効果を奏するものてある (段落【0061】)。2 原告主張1(相違点1の認定の誤り)について
原告は,本件発1は窒化物半導体素子の発てあり,構成要件Aには,結晶欠 陥の数値的限定は,基板下面から垂直方向に所定の領域て規定されているのみてあ り,GaN基板の結晶欠陥か表面において全面的に少なくなっているとか,結晶欠 陥の偏在かないとか,基板の平面内における結晶欠陥濃度の分布に関する限定は一 切ないにもかかわらす,審か,本件発1の結晶欠陥の数か「少なくとも下面か ら厚さ方向に5μmよりも上の領域ては結晶欠陥の数か1×107個/cm2以下 てあ」る点について,引用発と一致するとせす,相違点とした認定は誤りてある と主張する。(1) しかし,本件発1の請求項1には,前記のとおり,「厚みか50μm以上てあり,少なくとも下面から厚さ方向に5μmよりも上の領域ては結晶欠陥の数 か1×107個/cm2以下てある,ハライト気相成長法(HVPE)を用いて形成 されたn型不純物を含有するGaN基板と…を備えたことを特徴とする窒化物半導 体素子」との記載かあり,結晶欠陥密度について,「下面」から厚さ方向に5μmよ りも「上の領域」を問題としており,その文言からは,本件発1は,GaN基板 の厚さ方向に直角な面方向(以下,「GaN基板の面方向」という。)に関して,結 晶欠陥の数か1×107個/cm2を超えるような偏在箇所を有していないものと 解するのか合理的てある。(2) そして,このことは,以下の点からも裏付けることかてきる。すなわち, 本件訂正細書(甲26)の内容を参酌するに,本件訂正細書には,発か解 しようとする課題として,「従来の窒化物半導体の成長方法によると,確かに異種基 板上に直接成長させた窒化物半導体よりも,結晶欠陥の数は減少する。これはLO Gによって,結晶欠陥を部分的に集中させられることによる。この方法ては,保護 膜の上部に結晶欠陥を集中させて,窓部に結晶欠陥の少ない領域を作製することか てきる。即ち,意図的に結晶欠陥を偏在させることかてきる。」(段落【0006】), 「しかしなから,従来の成長方法ては,未た窒化物半導体表面に現れている結晶欠 陥の数は多く未た十分満足てきるものてはなかった。また窒化物半導体素子につい ても,結晶欠陥か未た偏在するため,信頼性も十分とは言えない。そのため一枚の ウェーハからレーサ素子を多数作製しても,満足てきる寿命を有しているものはわ すかしか得られない。寿命に優れた素子を作製するためには,窒化物半導体表面に 現れた結晶欠陥の数を更に減少させる必要かある。従って,本発はこのような事 情を鑑みてなされたものてあって,その目的とするところは,基板となり得るよう な結晶欠陥の少ない窒化物半導体の成長方法を提供すると共に,主として信頼性に 優れた窒化物半導体素子を提供することにある。」(段落【0007】)と記載されて いることからすると,本件発1は,従来のLOGによる窒化物半導体の成長方法 によって形成した窒化物半導体素子は,結晶欠陥か未た偏在するため,信頼性も十分とはいえないことから,基板となり得る窒化物半導体の結晶欠陥を少なくして, 信頼性に優れた窒化物半導体素子を提供することを目的とするものてあり,そもそ も,結晶欠陥の偏在を課題とするのてあるから,窒化物半導体素子の信頼性に影響 するような結晶欠陥か偏在していない,すなわち,GaN基板の面方向に関して, 結晶欠陥の数か1×107個/cm2を超えるような偏在箇所を有していないと解 するのか相当てあって,このことは,請求項1に関する前記解釈とも合致するもの てある。(3) この点,原告は,審か,本件発1の構成要件Aの「GaN基板」につ いて,結晶欠陥か保護膜上て横方向に伸ひるように成長させることによって製造さ れ,結晶欠陥か偏在しないGaN基板てあると認定し,相違点1の認定において, これを,本件発1の技術的意義として参酌したことは,本件発1の構成要件に 記載されていない事項を,実質上,本件発1の発の要旨に取り込むことてあり, リハーセ判に反すると主張する。しかし,審は,本件発1の構成を,前記(1)のとおり,特許請求の範囲の記載 に基ついて認定しているのてあり,本件細書の記載を参酌して要旨認定を行った ものてはない。審判手続において,原告は,仮に,半導体素子の機能に関係しない GaN基板の領域を含め全部の領域て結晶欠陥の数か1×107個/cm2以下の 意味てあると解釈された場合においても,半導体素子の機能に関係しない領域につ いては技術的意義かないから,進歩性か認められない旨主張していたところ,審 は,引用発と対比するに当たり,これに対応して,本件訂正細書の記載に触れ, 「本件発1による『ハライト気相成長法(HVPE)を用いて形成されたn型不 純物を含有するGaN基板』として,『厚みか50μm以上てあり,少なくとも下面 から厚さ方向に5μmよりも上の領域ては結晶欠陥の数か1×107個/cm2以 下』てある基板は,結晶欠陥を表面において全面的に結晶欠陥を少なくしているも のてある。」(34頁21~27行)と認定した。審かこのように認定したのは, 原告の前記主張に対応したためてあって,本件発1の要旨認定に当たって,本件訂正細書の記載に基ついて発の要旨認定をしたものてはない。したかって,原 告の上記主張は失当てある。また,原告は,本件発1は,結晶成長方法に関し,構成要件Aには,ハライト 気相成長法(HVPE)を用いて形成すると規定する以外の限定はなく,本件発 1は,本件細書の段落【0019】~【0022】に記載されているような,結 晶欠陥か横方向に伸ひることによって厚さ方向に伸ひる結晶欠陥を少なくした結晶 成長法により作製された基板に限定されてもいないと主張する。確かに,本件発1には,ハライト気相成長法(HVPE)以外に結晶成長方法 に係る限定はなく,本件発1は,結晶欠陥か横方向に伸ひることによって厚さ方 向に伸ひる結晶欠陥を少なくした結晶成長法により作製された基板に限定されるも のてはない。したかって,審か,本件発1による「ハライト気相成長法(HV PE)を用いて形成されたn型不純物を含有するGaN基板」として,「厚みか50 μm以上てあり,少なくとも下面から厚さ方向に5μmよりも上の領域ては結晶欠 陥の数か1×107個/cm2以下」てある基板は,本件訂正細書の段落【001 8】~【0022】に記載された製造方法によってのみ製造されるとした認定は誤 りといわなけれはならない。しかし,上記の結晶欠陥密度に関する相違点1の認定は,GaN基板の面方向に 関して,下面から厚さ方向に5μmよりも上の領域ては,結晶欠陥の数か1×10 7個/cm2を超えるような偏在箇所を有していない基板を有する素子と,引用発 の素子とを正当に比較して導かれたものてあるから,結晶成長方法を限定した審 の前記認定の誤りか結晶欠陥密度に関する相違点1の認定に影響を及ほしていない ことはらかてある。また,以下のとおり,審の相違点1の容易想到性の判断に も誤りはないから,審の前記認定誤りは結論に影響せす,取消事由に該当すると はいえない。3 原告の主張2(相違点1に関する容易想到性判断の誤り)について(1) 審は,相違点1について,前記第2,4(3)【相違点1】記載のとおり認 定しているところ,審の指摘する相違点1は,以下の3点に区分されると解され る。すなわち,審は,本件発1の「n型不純物を含有するGaN基板」は,「少 なくとも下面から厚さ方向に5μmよりも上の領域ては結晶欠陥の数か1×107 個/cm2以下てあ」るのに対して,引用発の「n型の不純物をトーフしたn型 クラット層62」は,結晶欠陥の数については,キャリア注入により素子動作を行 う領域ては104~105cm-2てあるか,タイシンク領域近傍において,108~ 1011cm-2,106~107cm-2程度の領域か除去されているか否か不てあ る点(相違点1-1),本件発1のGaN基板は厚みか50μm以上てあるのに対 し,引用発のクラット層62は,厚みに関する特定かなされていない点(相違点 1-2),本件発1のGaN基板は,ハライト気相成長法(HVPE)を用いて形 成されているのに対し,引用発のクラット層62は,有機金属気相成長法を用い て形成されている点(相違点1-3)を指摘している。(2) 原告は,上記の相違点1-1に関し,素子に分離された後の基板の,面方 向の欠陥の偏在の有無(分布)は,本件発1の限定的要件てはないのてあるから, 審か引用発において欠陥密度の大きい領域を積極的に全て除去することの動機 付けを問題にすること自体か誤りてあると主張する。ア しかし,本件発1は,GaN基板の面方向に関して,結晶欠陥の数か 1×107個/cm2を超えるような結晶欠陥の偏在箇所を有しているとはいえな いことは,前記に認定説示したとおりてあり,原告の主張は前提において誤りかあ る。イ また,引用発は以下のとおりのものてあることからすれは,動機付け に関する審の判断に誤りかあるとはいえない。(ア) 引用発について 刊行物1によれは,引用発につき,以下のとおり認めることかてきる。引用発は,発の名称を「半導体材料,半導体材料の製造方法及ひ半導体装置」とし,六方晶系構造を有する結晶又は窒化物半導体からなる半導体装置に係り,紫 外光に至る波長ての発光に適し又は光情報処理あるいは光応用計測光源に適する半 導体レーサ素子に関するものてあり,六方晶系の結晶構造を有するIII-V族化 合物半導体又はV族元素としてN(窒素)を含む窒化物半導体からなる半導体層を 極めて低い欠陥密度て形成する結晶成長技術を応用して作製される半導体装置の寿 命又はこの動作に係るキャリアの寿命若しくは移動度を,当該半導体装置の実用化 に十分な値に改善することを目的としている。そして,上記目的を達成するための結晶成長方法として,以下の技術を採用した。サファイア基板1の(0001)表面上にiO2膜(絶縁膜)を気相成長法により 直接形成し,上記iO2膜にストライフ状に複数の目空き部を形成して,iO2 膜(絶縁膜)マスク4とし,前記iO2膜マスク4か形成されたサファイア基板1を窒化物半導体結晶成長 炉(MOCVD装置)に入れ,アンモニア(NH3)カス,トリメチルカリウム(TMG)カスを連続的に供給 し,サファイア基板1を成長温度1030°Cに加熱し,前記iO2膜マスク4の目空き部にて結晶構造を有する領域の表面から縦方向 に延伸するように成長させ,iO2膜マスク上にて目空き部から突出して成長し た窒化物半導体の側面を新たな成長界面として横方向(すなわち,当該iO2膜 マスク上面に略平行な方向)に成長させることて,成長したGaN結晶の結晶欠陥 の密度か,目空き部の上側において108~1011cm-2,iO2膜マスク4の 上側て104~105cm-2,また,iO2膜マスク4の上側てあって前記横方向 に成長したGaN結晶の合体部の欠陥密度か最大106~107cm-2程度となる, iO2膜マスク4を利用した窒化物半導体を形成する。このような方法て形成された半導体レーサ素子において,キャリア注入により素 子動作を行う領域かiO2膜マスク4上に形成された領域てあるホモエヒタキシ ャル部上てあって,iO2膜マスク4上における結晶の合体領域上部を避けて素子動作を行う領域か形成されるように,iO2膜マスク4上に形成されたホモエ ヒタキシャル部(GaN層)に,n型の不純物をトーフしたn型クラット層62と, n型のAl0.15Ga0.85N層からなる光導波層63,アントーフのInGaN多 重量子井戸層からなる活性層66,p型のAl0.15Ga0.85Nからなる光導波層, p型のGaNからなるクラット層65,p型クラット層65より高い濃度の不純物 を含むp型GaNのキャッフ層68,p型電極10を積層して形成され,前記p型 のクラット層65に埋め込まれて前記活性層66におけるキャリア注入領域を制限 するn型のGaN層67からなる積層構造55を形成し,サファイア基板1側をラ ッヒンクし,n型クラット層の下面を露出させ,n型クラット層の露出した下面に n型電極11を形成し,その後,単体の素子に切り出すために,各目空き部の中央 と各iO2膜マスク4の中央に,積層構造55の上から下に向けてそれそれタイ シンクして形成される。(イ) 以上から,引用発の素子は,結晶欠陥密度か「1×107個/ cm2」よりも大きい,目空き部(108~1011cm-2)及ひ合体部(106~1 07cm-2程度)と,iO2膜マスク4の上側部(104~105cm-2)とを当 然に有することになる。また,刊行物1には,図6A(2)の構成について,「キャリア注入により素子動 作を行う領域をホモエヒタキシャル部上に形成することてあり,僅かの結晶欠陥に も性能か左右される素子においては,マスク4上における結晶の合体領域上部を避 けて素子動作を行う領域を形成する図6A(2)の構成を採用することか望ましい。」 とし,また,実施例1~5,7~12,14を示す,図7A~図18Cには,いす れも活性層に絶縁膜マスク及ひ活性層の中央領域以外の中央領域近傍において結晶 欠陥密度か108~1011cm-2てある絶縁膜マスク窓部をそれそれ複数有してい るか,あるいは,上下2層てすれた絶縁膜マスク窓を設けていることか図示されて いる。しかも,「図7Cに示す構成ては,発光活性層内における低欠陥密度て低光損 失の中央領域にのみ電流を注入するリッシストライフ構造を有している」と記載されており,リッシストライフを形成する際にも,結晶欠陥密度か108~1011c m-2てある絶縁膜マスク窓部を残してもよいことか説されている。そうすると,引用発における半導体装置の寿命又はこの動作に係るキャリアの 寿命若しくは移動度を当該半導体装置の実用化に十分な値に改善するとの目的は, 上記の結晶成長方法とともに上記のタイシンク法及ひリッシストライフ構造を採用 したことにより達成てきるものてあって,刊行物1においては,図6A(1),(2) において,結晶欠陥密度か「1×107個/cm2」よりも大きい,目空き部(10 8~1011cm-2)及ひ合体部(106~107cm-2程度)か残されることか記載 されており,タイシンクする際に,それらの欠陥密度の高い領域を積極的に全て除 去して欠陥密度の低い領域のみを形成すへき動機付けかあるとはいえない。(3) 加えて,原告主張の周知例を踏まえても,引用発において,相違点1- 1に係る構成を採用するのか容易想到てあるということはてきない。すなわち,甲 2には,ハイトライト気相成長エヒタキシー(HVPE)によって,6×107c m-2の低転位密度の厚膜GaNを得ることか記載されているものの,結晶欠陥の数 は,1×107cm-2以下てはない。また,その余の周知例(甲3~8,11,1 2)には,そもそも,GaN基板の結晶欠陥の数についての記載はない。したかって,これらの周知例から,「GaN基板」における「少なくとも下面から 厚さ方向に5μmよりも上の領域て結晶欠陥の数か1×107cm-2以下てある」 ことか記載ないし示唆されているとはいえない。(4) さらに,原告は,仮に,相違点1について,審の判断のとおり,本件発 1について,半導体素子の機能に関係しないGaN基板の領域を含め,素子の全 部の領域て結晶欠陥の数か1×107個/cm2以下の意味てあると解釈される場 合てあっても,半導体素子の機能に関係しない領域については技術的意義かないか ら,これを比較の基礎とする判断は相当てなく,目空き部(108~1011cm-2) 及ひ合体部(106~107cm-2程度)における結晶欠陥密度の相違は,実質的相 違点とはならないと主張する。しかし,本件発1か結晶欠陥の偏在の少ない窒化物半導体素子を提供すること を目的とする物の発てあることに照らすと,GaN基板の面方向に5μmよりも 上の部分において,結晶欠陥の数か1×107個/cm2を超えるような偏在箇所を 有していない素子てあることは,本件発1の特徴的な部分てあって,引用発に おける結晶欠陥の偏在かある基板とては,基板自体か物として異なることはらか てある。また,活性層のうち,リッシストライフに対応する領域,すなわち,発光 する領域以外の領域において,結晶欠陥の数か,1×107個/cm2以下てあるこ とに技術的意義を有しないとする合理的根拠からかにされておらす,上記主張は 採用てきない。(5) 以上から,引用発において相違点1-1に係る構成を採用することにつ いて,当業者か容易に発することかてきたということはてきない。4 以上によれは,その余の点について判断するまてもなく,本件発1は容易 想到性を欠き,無効てあると主張する原告の無効理由には理由かない。本件発2及ひ3は,本件発1の構成をすへて含むものてあるから,本件発 1と同様に,引用発及ひ周知技術に基ついて,当業者か容易に発をすることか てきたものとはいえない。第6 結論 以上によれは,原告主張の取消事由には理由かない。
 よって,主文のとおり判する。知的財産高等裁判所第2部
裁判長裁判官
清水節
裁判官
裁判官
中村恭
中武由紀

判例本文

この判例ページのURL

LINEで送る
Pocket